"3D X-DRAM" texnologiyası nə üçün vacibdir?
Məlumatların saxlanma sıxlığını əhəmiyyətli dərəcədə artırmaq və operativ yaddaş (RAM) qıtlığı problemini həll etmək üçün yaddaş hüceyrələrinin qat-qat (stek) yerləşdirilməsi mühüm əhəmiyyət kəsb edir. Bu istiqamətdə ilk addım "HBM" yaddaşları vasitəsilə atılsa da, bu texnologiyanın istehsalı olduqca bahalı başa gəlir. Mütəxəssislər hesab edirdilər ki, əsl sıçrayış yalnız "DRAM" yaddaşlarının "3D NAND" istehsalı yoluna keçməsi ilə baş verə bilər. Nəhayət, bu konsepsiya silisium üzərində öz təsdiqini tapıb.
Layihəyə kimlər investisiya yatırır?
ABŞ-ın gənc "NEO Semiconductor" şirkəti "3D X-DRAM" yaddaşının ilk işlək prototipini nümayiş etdirib. Bir il əvvəl dəstək tapmaqda çətinlik çəkən şirkət hazırda aparıcı yaddaş istehsalçıları ilə intensiv danışıqlar aparır. Şirkətin ən böyük uğurlarından biri "Acer" şirkətinin qurucusu və təxminən 20 il "TSMC"-yə rəhbərlik etmiş 81 yaşlı əfsanəvi Sten Şinin (Stan Shih) investor kimi cəlb edilməsidir. Bundan əlavə, Tayvanın Milli Yanmin Sziaotun Universiteti (NYCU) və Tayvan Yarımkeçirici Tədqiqat İnstitutu (NIAR-TSRI) ilə sıx əməkdaşlıq qurulub.
Yeni yaddaşın texniki göstəriciləri necədir?
Prototip məhz Tayvan Yarımkeçirici Tədqiqat İnstitutunun laboratoriyalarında hazırlanıb və sınaqdan keçirilib. Sınaq nəticələrinə görə, yeni yaddaşın oxuma və yazma gecikməsi 10 ns-dən azdır. 85 °C temperaturda regenerasiya vaxtı 1 saniyəni ötür ki, bu da "JEDEC" standartından (64 ms) 15 dəfə yaxşıdır. Aşınmaya davamlılıq isə 10¹⁴ səviyyəsinə çatıb. Həmçinin, yaddaşın maneələrə qarşı davamlılığı yüksək səviyyədə qiymətləndirilib.
Mütəxəssislər bu barədə nə düşünür?
"NYCU"-nun baş vitse-prezidenti və "TSMC"-nin sabiq texniki direktoru Cek San (Jack Sun) bildirib ki, sənaye və elm dairələri arasındakı sıx tərəfdaşlıq sayəsində "NEO Semiconductor" şirkətinin konsepsiyasını real silisium istehsalı şəraitində təsdiqləmək mümkün olub. O, qeyd edib ki, bu uğurlu sınaq innovativ yaddaş arxitekturalarının potensialını nümayiş etdirməklə yanaşı, mövcud istehsal prosesləri ilə qabaqcıl texnologiyaların tətbiqinin mümkünlüyünü də sübut edir.
Gələcəkdə bizi nələr gözləyir?
"NEO Semiconductor" mühəndislərinin fikrincə, "DRAM" yaddaşının qat-qat yerləşdirilməsi və təxminən 32 000 bitlik geniş məlumat şini hər kristalda 512 Qbit qeyd sıxlığına nail olmağa imkan verəcək. Bu, müasir "HBM" yaddaşlarından 16 dəfə daha yüksək buraxılış qabiliyyəti deməkdir. Mövcud "HBM" standartının inkişafı bu cür göstəricilərə yalnız əsrin ortalarında çatmağı vəd etsə də, yeni texnologiya bu sıçrayışı yaxın gələcəkdə reallaşdıra bilər.
