Çin Elmlər Akademiyasının Mikroelektronika İnstitutu (IMECAS), qabaqcıl EUV (ekstremal ultrabənövşəyi) litoqrafiya avadanlığına çıxışı olmayan ölkə üçün strateji əhəmiyyət kəsb edən yeni texnoloji prosesi təqdim edib. Baş mühəndis Ye Tianchun tərəfindən verilən məlumata görə, institut GAA (gate-all-around) tipli tranzistorların istehsalını daha əlçatan olan DUV (dərin ultrabənövşəyi) litoqrafiya vasitəsilə həyata keçirməyi planlaşdırır.
Bu texnologiya necə işləyir?
GAA konstruksiyası tranzistorun qapısını kanalın bütün tərəflərindən əhatə edərək daha yüksək performans təmin edir. DUV avadanlığı ilə 3 nm səviyyəsinə çatmaq üçün tədqiqatçılar çoxqatlı ekspozisiya üsulundan istifadə edirlər. Bu proses lövhə üzərində naxışların dəfələrlə formalaşdırılmasını tələb edir ki, bu da istehsalın mürəkkəbliyini və maya dəyərini artırsa da, ASML şirkətinin avadanlıqlarına olan ehtiyacı aradan qaldırır.
İstehsalda hansı çətinliklər var?
Mütəxəssislər vurğulayırlar ki, laboratoriya səviyyəsində əldə edilən bu nəticə hələ kütləvi istehsal üçün hazır deyil. Prosesin uğurlu olması üçün layların dəqiq birləşdirilməsi, yüksək məhsuldarlıq və istehsal sabitliyinin təmin edilməsi kimi ciddi texniki maneələr qalmaqdadır. Bundan əlavə, Huawei şirkəti də paralel olaraq Tau Scaling Law konsepsiyası ilə arxitektur dəyişikliklər vasitəsilə hesablama sıxlığını artırmağa çalışır.
