Cənubi Koreyanın "Samsung Electronics" şirkəti yaddaş istehsalında yeni bir dövr başladaraq, 10 nanometrdən kiçik texnologiya ilə hazırlanmış ilk işlək DRAM kristalını əldə edib. "The Elec" nəşrinin məlumatına görə, 10a nəsli adlanan bu texnoloji prosesdə xətti ölçülər 9,5 ilə 9,7 nm arasında dəyişir. İndiyə qədər istehsalçılar yalnız 10 nanometrlik sinfə aid olan (1x-dən 1d-yə qədər) prosesləri mənimsəmişdilər. Yeni nailiyyət şirkətə uzunmüddətli perspektivdə istehsal xərclərini azaltmağa imkan verəcək.
Yeni texnologiya necə işləyir?
"Samsung" bu yeni texnoloji prosesin kütləvi istehsalına 2028-ci ildə başlamağı planlaşdırır. Növbəti üç ardıcıl texnologiya (10a, 10b və 10c) 4F2 hüceyrə arxitekturasının və şaquli kanallı tranzistorların (VCT) istifadəsini nəzərdə tutur. Bu struktur kristalın vahid sahəsinə düşən hüceyrələrin sayını 30–50 % artırmağa imkan verir. Şirkət yalnız 10d texnologiyası çərçivəsində 3D DRAM istehsalına keçməyi hədəfləyir.
Hansı materiallar istifadə olunacaq?
Komponentlərin sıxlığının artması kimyəvi tərkibin dəyişdirilməsini tələb edib. "Samsung" sızma cərəyanlarının qarşısını almaq üçün tranzistor kanallarını silisium əvəzinə indium, qallium və sink oksidindən (IGZO) hazırlayacaq. Söz xətti üçün isə titan nitridi və molibden variantları nəzərdən keçirilir. Lakin molibdenin yüksək korroziya aktivliyi yeni avadanlıqların tətbiqini tələb etdiyi üçün yekun qərar hələ verilməyib. Periferik sxemlər isə ayrı bir kristalda hazırlanaraq hibrid birləşdirmə üsulu ilə əsas bloka quraşdırılacaq.
Rəqiblər hansı addımları atır?
Mütəxəssislərin fikrincə, "Samsung" şaquli kanallı tranzistorlar vasitəsilə 3D DRAM texnologiyasına təkamül yolu ilə gedir. Lakin "Micron Technology" və Çin istehsalçıları 4F2 mərhələsini atlayaraq birbaşa üçölçülü yaddaşlara keçməyi planlaşdırırlar. Bu yanaşma onlara bahalı EUV (həddindən artıq sərt ultrasəhnəvi litoqrafiya) avadanlıqları olmadan yüksək sıxlıqlı yaddaş buraxmağa imkan verəcək. Qərb sanksiyaları səbəbindən bu avadanlıqlara çıxışı olmayan Çin şirkətləri üçün bu addım xüsusilə aktualdır.
Digər Cənubi Koreya nəhəngi "SK hynix" isə "Samsung" kimi 4F2 və VCT arxitekturalarını tətbiq etmək niyyətindədir. Lakin onlar bu yeniliyi 10a deyil, yalnız 10b texnoloji prosesi çərçivəsində reallaşdırmağı düşünürlər. "Samsung" şirkətinin artıq işlək nümunələr əldə etməsi, artan hüceyrə sıxlığı ilə bağlı risklərə baxmayaraq, əsas ssenarinin uğurla nəticələnəcəyinə ümid verir.
