ETNews-un məlumatına görə, Samsung şirkəti yaddaş texnologiyaları sahəsində yeni bir mərhələyə imza ataraq 900 qatlı 3D NAND çipinin ilk prototipini hazırlayıb. Bu layihə şirkətin bazardakı mövqeyini daha da gücləndirməyə xidmət edir.
Prototipdə tətbiq olunan Cell Multi-Bonding (CMB) texnologiyası iki ədəd 450 qatlı yaddaş lövhəsinin vahid çip üzərində birləşdirilməsinə imkan verib. Çoxqatlı struktur məlumatların saxlanma sıxlığını artırmaqla yanaşı, enerji istehlakını da azaldır. Bu cür konfiqurasiyalar xüsusilə süni intellekt sahəsindəki iş yükü üçün böyük üstünlük hesab olunur.
Hazırda çoxqatlı NAND çipləri bazarında SK hynix 321 qatlı mikrosxemləri ilə liderlik etsə də, Samsung 400 qatlı çiplərin kütləvi istehsalına hazırlaşır və tədqiqat mərhələsində 900 qat həddinə çatıb. Qeyd edək ki, Samsung 2013-cü ildə dünyada ilk dəfə 3D V-NAND çiplərini bazara çıxaran şirkət olub.
Bazar rəqabəti isə getdikcə güclənir. Çinin Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC) şirkəti dövlət investisiyaları hesabına 294 qatlı NAND çiplərinin kütləvi istehsalına başlayıb. Bu rəqabət mühiti Samsung-u uzunmüddətli üstünlüyünü qorumaq üçün 900 qatlı yaddaş texnologiyasının inkişafını sürətləndirməyə sövq edib.
