Yaddaş arxitekturasında yeni yanaşma: V-Die və MOSAIC
Tokio Universiteti, UNIST və Hanbat Milli Universiteti kimi nüfuzlu təhsil müəssisələrinin mühəndisləri "HBM" (High Bandwidth Memory) yaddaşının strukturunu dəyişən yeni metodlar təklif ediblər. Ənənəvi olaraq, "DRAM" kristalları bir-birinin üzərinə yığılır, bu da istilik ayrılması və məlumat ötürülməsi ilə bağlı problemlər yaradır. Yeni yanaşmada kristalların yan tərəfə qoyulması (vertical-but-not-stacked) ilə yaddaşın daha sürətli və soyuq işləməsi təmin edilir.
V-Die texnologiyası nəyi dəyişir?
İyun ayında keçirilən IEEE VLSI simpoziumunda təqdim olunan V-Die konsepsiyası, kristalların arasında mikroflüid kanalların yerləşdirilməsini nəzərdə tutur. Bu sistem istiliyi 45 °C səviyyəsində saxlamağa imkan verir ki, bu da ənənəvi "HBM" yaddaşının 80 °C-dən çox olan pik temperaturları ilə müqayisədə böyük irəliləyişdir. Hesablamalara görə, V-Die texnologiyası "Nvidia" H100 səviyyəli qrafik prosessorlarda məlumat oxuma vaxtını 37% azaldır və GPT-3 kimi böyük dil modellərində performansı əhəmiyyətli dərəcədə yüksəldir.
MOSAIC və induktiv məlumat ötürülməsi
Texnologiyanın istehsal dəqiqliyi ilə bağlı yaranan çətinlikləri aradan qaldırmaq üçün Tokio Universiteti, Tohoku Universiteti və RIKEN tədqiqatçıları MOSAIC adlı alternativ yanaşma təklif ediblər. Bu metodda məlumat və idarəetmə siqnalları fiziki kontaktlar vasitəsilə deyil, maqnit sahəsi vasitəsilə induktiv şəkildə ötürülür. Bu yanaşma mikron dəqiqliyində lehimləmə ehtiyacını aradan qaldırır və bir blokda 882 QB-a qədər yaddaş yerləşdirmə potensialı yaradır.
