Yarımkeçiricilərin istehsalında fiziki limitlər səbəbindən Mur qanununun icrası çətinləşsə də, alimlər 3D çip yığımı kimi yeni yanaşmalarla bu prosesi davam etdirməyə çalışırlar. İllinoys Universitetinin Qreynger Mühəndislik Kollecinin tədqiqatçıları bu sahədə mühüm irəliləyiş əldə edərək, 3D çiplərin istehsalında temperatur maneəsini aşan yeni bir metod hazırlayıblar.
Ənənəvi 3D inteqrasiya proseslərində yüksək temperatur (təxminən 1000 °C) tələb olunur ki, bu da alt qatlardakı metal naqilləri zədələyir. Sənayedə bu limit adətən 400 °C-ə qədər məhdudlaşdırılır. İllinoys komandası isə 10 nanometr və ya daha nazik monokristallik silisium membranlarından istifadə edərək, bu prosesi 200 °C-dən aşağı temperaturda həyata keçirməyə müvəffəq olub.
Yeni texnologiyanın əsas üstünlükləri:
- Material keyfiyyəti: Alternativ materiallardan (karbon nanoborular və ya amorf oksidlərdən) fərqli olaraq, standart monokristallik silisiumun sabitliyi və yüksək performansı qorunub saxlanılır.
- Transistor konstruksiyası: Yüksək temperatur tələb edən ənənəvi legirləmə əvəzinə, nazik silisium təbəqələrinin əvvəlcədən legirləndiyi "keçidsiz" (junctionless) transistorlardan istifadə olunub.
- Yüksək səmərəlilik: Üç qatdan ibarət prototipdə 98-100% yararlı element göstəricisi qeydə alınıb.
Bu texnologiya CPU, GPU və süni intellekt sürətləndiricilərinin daha kompakt və güclü istehsalına yol açır. Monolit 3D inteqrasiya, ənənəvi TSV keçidləri ilə müqayisədə 10-100 dəfə daha sıx qatlararası əlaqə təmin edir. Hazırda IBM, Intel və TSMC kimi nəhəng şirkətlər bu texnologiyanın sənaye miqyasında tətbiqinə maraq göstərirlər.
